一、項目需求

由于硅片分選機內(nèi)破損硅片殘留，導(dǎo)致宕機，需要人工在機臺內(nèi)將殘破硅片取出，耗時較長，直接影響產(chǎn)能。客戶需要將殘破硅片取出這個動作在分選機外實施，并且預(yù)留多組花籃的排料空間，讓一個工人能夠顧及多條線體，實現(xiàn)產(chǎn)能提升的同時，避免人員的大量投入。

二、技術(shù)要求

對容器內(nèi)的硅片進行整體的檢測，檢測花籃內(nèi)的硅片是否有多片、少片、厚片、破片、以及硅片是否有錯齒現(xiàn)象，擇出不良品，提高良率，CT耗時要求3s以內(nèi)。

1、圖像質(zhì)量：亮度均勻、無伸縮變形、邊緣過渡帶清晰

2、算法耗時：工控機1拖8，雙傳送帶檢測穩(wěn)定耗時2s內(nèi)

3、場景適應(yīng)性：漏檢率<1%，誤檢率<1%

4、客戶價值：將殘破硅片取出這個動作在分選機外實施，并且預(yù)留多組花籃的排料空間，讓一個工人能夠顧及多條線體，實現(xiàn)產(chǎn)能提升的同時，避免人員的大量投入

方案架構(gòu)

（2）選型思路：檢測目標(biāo)為花籃內(nèi)的硅片，由于視野要求較大并且打光均勻度要求較高，為了保持特征的穩(wěn)定與避免入射角過大導(dǎo)致的高度差漏檢情況，因此選擇使用開4孔面光來覆蓋成像視野范圍，通過多相機多區(qū)域依次檢測的方式，減小相機成像入射角，減小高度差漏檢的風(fēng)險

（3）調(diào)試思路：調(diào)整曝光成像，使硅片在各個相機成像灰度大致統(tǒng)一，保證硅片邊緣與背景1~2個像素過渡帶的成像質(zhì)量，調(diào)整傳感器位置并與電氣核對，盡量確?；ɑ@處于相機成像中央。

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